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厂商型号

SIHP17N60D-GE3 

产品描述

MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB

内部编号

5-SIHP17N60D-GE3

生产厂商

Vishay Siliconix

vishay

#1

数量:0
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美国加州
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SIHP17N60D-GE3产品详细规格

规格书 SIHP17N60D
SIHP17N60D-GE3 datasheet 规格书
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 17A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
标准包装 1,000
供应商设备封装 TO-220AB
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 340 mOhm @ 8A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 277.8W
封装/外壳 TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 1780pF @ 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS 90nC @ 10V
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 17A (Tc)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
系列 E
品牌 Vishay Semiconductors
商品名 TrenchFET
技术 Si

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