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规格书 |
SIHP17N60D |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 17A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
标准包装 | 1,000 |
供应商设备封装 | TO-220AB |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 340 mOhm @ 8A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 277.8W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1780pF @ 100V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 90nC @ 10V |
产品种类 | MOSFET |
RoHS | RoHS Compliant |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 17A (Tc) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
系列 | E |
品牌 | Vishay Semiconductors |
商品名 | TrenchFET |
技术 | Si |
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